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IRG4PF50W-E

更新时间： 2024-02-21 17:21:51

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		局域网栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	143K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 51A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN

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IRG4PF50W-E 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Active
包装说明：	TO-247AD, 3 PIN	Reach Compliance Code：	unknown
风险等级：	5.27	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	51 A	集电极-发射极最大电压：	900 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-247AD
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	NO	端子面层：	Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	370 ns
标称接通时间 (ton)：	54 ns

IRG4PF50W-E 数据手册

PD - 91710

IRG4PF50W

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• Optimized for use in Welding and Switch-Mode

Power Supply applications

_CES= 900V

• Industry benchmark switching losses improve

efficiency of all power supply topologies

V_{CE(on) typ.}= 2.25V

• 50% reduction of Eoff parameter

• Low IGBT conduction losses

• Latest technology IGBT design offers tighter

parameter distribution coupled with exceptional

reliability

@V_GE= 15V, I_C= 28A

n-channel

Benefits

• Lower switching losses allow more cost-effective

operation and hence efficient replacement of larger-

die MOSFETs up to 100kHz

• Of particular benefit in single-ended converters and

Power Supplies 150W and higher

• Reduction in critical Eoff parameter due to minimal

minority-carrier recombination coupled with low on-

state losses allow maximum flexibility in device

application

TO-247AC

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

900

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current ➀

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

204

I_LM

Clamped Inductive Load Current ➁

Gate-to-Emitter Voltage

204

V_GE

± 20

186

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy ➂

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 25°C

200

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 seconds

°C

300 (0.063 in. (1.6mm from case )

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Typ.

–––

Max.

0.64

–––

Units

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Case-to-Sink, Flat, Greased Surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

0.24

°C/W

–––

6 (0.21)

–––

g (oz)

www.irf.com

4/15/98

12 3 4 5 6 7...9

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4PF50W-EPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 51A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD,
IRG4PF50WPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PG40FD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PG40KD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PG40MD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PG40SD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PG40UD	INFINEON	获取价格	Fit Rate / Equivalent Device Hours
IRG4PH20	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH20K	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4PH20KD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty

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