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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | TO-247AD, 3 PIN | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5.27 | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 51 A | 集电极-发射极最大电压： | 900 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-247AD |
| JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | NO | 端子面层： | Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 370 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 54 ns |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PF50W-EPBF | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 51A I(C), 900V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
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| IRG4PF50WPBF | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4PG40FD | INFINEON |
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Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4PG40KD | INFINEON |
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Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4PG40MD | INFINEON |
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Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4PG40SD | INFINEON |
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Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4PG40UD | INFINEON |
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Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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| IRG4PH20 | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
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| IRG4PH20K | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=3.17V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
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| IRG4PH20KD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty |
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