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IRG4PH40UD

更新时间： 2024-11-20 22:16:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管功率控制栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 220K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.43V, @Vge=15V, Ic=21A)

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IRG4PH40UD 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.01Is Samacsys：N
其他特性：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：41 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODEJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：750 ns标称接通时间 (ton)：74 ns
Base Number Matches：1

IRG4PH40UD 数据手册

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PD- 91621B  
IRG4PH40UD  
UltraFast CoPack IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
C
• UltraFast: Optimized for high operating  
frequencies up to 40 kHz in hard switching,  
>200 kHz in resonant mode  
VCES = 1200V  
VCE(on) typ. = 2.43V  
• New IGBT design provides tighter  
G
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generations  
@VGE = 15V, IC = 21A  
E
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
n-channel  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
• Industry standard TO-247AC package  
Benefits  
• Higher switching frequency capability than  
competitive IGBTs  
• Highest efficiency available  
• HEXFRED diodes optimized for performance with  
IGBT's . Minimized recovery characteristics require  
less/no snubbing  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
1200  
V
IC @ TC = 25°C  
41  
IC @ TC = 100°C  
21  
ICM  
82  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
82  
A
IF @ TC = 100°C  
8.0  
IFM  
130  
VGE  
20  
160  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.77  
1.7  
–––  
40  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
–––  
°C/W  
0.24  
–––  
6 (0.21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
7/7/2000  
1234567...10

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与IRG4PH40UD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PH40UD2 INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-E INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-EP INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-EPBF_15 INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD2-EPPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, LEAD FRE
IRG4PH40UD2PBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH40UD-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IRG4PH40UD-EPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 41A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IRG4PH40UDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIDDE

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