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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRG4PH50KDPBF
IRG4PH50KDPBF PDF预览

IRG4PH50KDPBF

更新时间： 2024-11-21 04:44:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
11页 677K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PH50KDPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：7.02
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：45 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：300 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：700 ns
标称接通时间 (ton)：139 ns

IRG4PH50KDPBF 数据手册

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PD- 95189  
IRG4PH50KDPbF  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
C
• High short circuit rating optimized for motor control,  
tsc =10µs, VCC = 720V , TJ = 125°C,  
VCES = 1200V  
VGE = 15V  
• Combines low conduction losses with high  
switching speed  
V
CE(on) typ. = 2.77V  
G
• Tighter parameter distribution and higher efficiency  
than previous generations  
@VGE = 15V, IC = 24A  
E
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
n-channel  
ultrasoft recovery antiparallel diodes  
• Lead-Free  
Benefits  
• Latest generation 4 IGBT's offer highest power density  
motor controls possible  
• HEXFREDTM diodes optimized for performance with IGBTs.  
Minimized recovery characteristics reduce noise, EMI and  
switching losses  
• This part replaces the IRGPH50KD2 and IRGPH50MD2  
products  
• For hints see design tip 97003  
Absolute Maximum Ratings  
TO-247AC  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
1200  
V
IC @ TC = 25°C  
45  
IC @ TC = 100°C  
24  
ICM  
90  
A
ILM  
90  
IF @ TC = 100°C  
16  
IFM  
90  
10  
tsc  
µs  
V
VGE  
± 20  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
200  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
78  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
Max.  
0.64  
0.83  
–––  
40  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
°C/W  
0.24  
–––  
6 (0.21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
04/26/04  
1234567...11

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IRG4PH50KDPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PH50UD INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PC40WPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PF50WDPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PH50KPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PH50S INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=1.47V, @Vge=15V, Ic=33A)
IRG4PH50S-EPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PH50SPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PH50SPBFEL INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 57A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC,
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