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IRG4PSC71KD

更新时间： 2024-01-23 14:02:48
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管电动机控制瞄准线双极性晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 198K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A)

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IRG4PSC71KD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, SUPER-247, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.03
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：85 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：130 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-274AA
JESD-30 代码：R-PSIP-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：350 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：304 ns标称接通时间 (ton)：79 ns
Base Number Matches：1

IRG4PSC71KD 数据手册

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PD - 91684A  
IRG4PSC71KD  
PRELIMINARY  
Short Circuit Rated  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
UltraFast IGBT  
C
VCES = 600V  
• Hole-less clip/pressure mount package compatible  
with TO-247 and TO-264, with reinforced pins  
• High abort circuit rating IGBTs, optimized for  
VCE(on) typ. = 1.83V  
motorcontrol  
G
• Minimum switching losses combined with low  
conduction losses  
@VGE = 15V, IC = 60A  
E
• Tightest parameter distribution  
• IGBT co-packaged with ultrafast soft recovery  
antiparallel diode  
n-channel  
• Creepage distance increased to 5.35mm  
Benefits  
• Highest current rating copack IGBT  
• Maximum power density, twice the power  
handling of the TO-247, less space than TO-264  
• HEXFREDTM diode optimized for operation with  
IGBT, to minimize EMI, noise and switching losses  
SUPER - 247  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
C @ TC = 25°C  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
I
85ꢀ  
60  
IC @ TC = 100°C  
ICM  
200  
A
ILM  
200  
IF @ TC = 100°C  
50  
IFM  
200  
tsc  
10  
µs  
V
VGE  
± 20  
350  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
140  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal Resistance\ Mechanical  
Parameter  
Min.  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.36  
0.69  
–––  
38  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Recommended Clip Force  
Weight  
–––  
–––  
°C/W  
–––  
0.24  
–––  
–––  
20.0(2.0)  
–––  
–––  
–––  
–––  
N (kgf)  
g (oz)  
6 (0.21)  
www.irf.com  
1
5/11/99  
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IRG4PSC71KD 替代型号

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