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IRG4PH50S PDF预览

IRG4PH50S

更新时间： 2024-11-24 22:16:35
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制栅局域网
页数 文件大小 规格书
8页 130K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=1.47V, @Vge=15V, Ic=33A)

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IRG4PH50S 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.58Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：57 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：2170 ns标称接通时间 (ton)：62 ns
Base Number Matches：1

IRG4PH50S 数据手册

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PD -91712A  
IRG4PH50S  
Standard Speed IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
C
• Standard: Optimized for minimum saturation  
voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
Generation 3  
VCES =1200V  
VCE(on) typ. = 1.47V  
G
• Industry standard TO-247AC package  
@VGE = 15V, IC = 33A  
E
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available  
• IGBT's optimized for specified application conditions  
• Designed to be a "drop-in" replacement for equivalent  
industry-standard Generation 3 IR IGBT's  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
1200  
57  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current  
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
33  
A
ICM  
114  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
114  
VGE  
20  
V
mJ  
W
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energyƒ  
Maximum Power Dissipation  
270  
PD @ TC = 25°C  
200  
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
80  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
Typ.  
–––  
0.24  
Max.  
0.64  
–––  
40  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
–––  
6.0 (0.21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
7/7/2000  
12345678

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IRG4PH50S 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PH50SPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

与IRG4PH50S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PH50S-EPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PH50SPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PH50SPBFEL INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 57A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC,
IRG4PH50U INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)
IRG4PH50UD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
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