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IRG4PSH71UDPBF

更新时间： 2024-02-17 01:14:30
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管开关功率控制双极性晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
11页 240K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4PSH71UDPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.6
其他特性：ULTRA FAST SWITCHING外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：99 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：260 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：350 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRG4PSH71UDPBF 数据手册

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PD - 95908  
IRG4PSH71UDPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
UltraFast Copack IGBT  
Features  
• UltraFast switching speed optimized for operating  
frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz  
in resonant mode soft switching  
C
V
CES = 1200V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency  
(minimum switching and conduction losses) than  
prior generations  
• Industry-benchmark Super-247 package with  
higher power handling capability compared to  
same footprint TO-247  
V
CE(on) typ. = 2.52V  
G
E
@VGE = 15V, IC = 50A  
n-channel  
• Creepage distance increased to 5.35mm  
• Lead-Free  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiencies  
available  
• Maximum power density, twice the power  
handling of the TO-247, less space than TO-264  
• IGBTs optimized for specific application conditions  
• Cost and space saving in designs that require  
multiple, paralleled IGBTs  
SUPER - 247  
• HEXFREDTM antiparallel Diode minimizes  
switching losses and EMI  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
1200  
99  
Units  
V
A
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current  
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
50  
ICM  
200  
ILM  
Clamped Inductive Load current  
Gate-to-Emitter Voltage  
200  
VGE  
±20  
V
W
°C  
IF @ Tc = 100°C  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
70  
IFM  
200  
PD @ TC = 25°C  
350  
PD @ TC = 100°C  
140  
TJ  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Storage Temperature Range, for 10 sec.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal / Mechanical Characteristics  
Parameter  
Min.  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.36  
0.36  
–––  
Units  
°C/W  
Rθ  
Junction-to-Case- IGBT  
JC  
RθJC  
Junction-to-Case- Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Recommended Clip Force  
Weight  
–––  
–––  
Rθ  
–––  
0.24  
–––  
CS  
RθJA  
–––  
38  
N (kgf)  
g (oz.)  
20 (2.0)  
–––  
Wt  
6 (0.21)  
–––  
www.irf.com  
1
09/20/04  
1234567...11

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IRG4PSH71UDPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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