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IRG4RC10KDTRPBF PDF预览

IRG4RC10KDTRPBF

更新时间： 2024-01-17 03:56:35
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 136K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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IRG4RC10KDTRPBF 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73Base Number Matches：1

IRG4RC10KDTRPBF 数据手册

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PD 91735A  
IRG4RC10K  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
C
• Short Circuit Rated UltraFast: Optimized for high  
operating frequencies >5.0 kHz , and Short Circuit  
Rated to 10µs @ 125°C, VGE = 15V  
VCES = 600V  
• Generation 4 IGBT design provides higher efficiency  
than Generation 3  
VCE(on) typ. = 2.39V  
G
• Industry standard TO-252AA package  
@VGE = 15V, IC = 5.0A  
E
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available  
• IGBT's optimized for specified application conditions  
D-PAK  
TO-252AA  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
9.0  
IC @ TC = 100°C  
5.0  
A
ICM  
18  
ILM  
18  
tsc  
10  
µs  
V
VGE  
± 20  
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
34  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
38  
15  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
3.3  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Weight  
–––  
50  
0.3 (0.01)  
–––  
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
www.irf.com  
1
12/30/00  
12345678

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IRG4RC10KDTRPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4RC10KDPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IRG4RC10KDTRPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4RC10KDTRR INFINEON

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10KDTRRPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRG4RC10KPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT
IRG4RC10KTRL INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
IRG4RC10KTRR INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
IRG4RC10S INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.10V, @Vge=15V, IC=2.0A)
IRG4RC10SD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4RC10SDPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
IRG4RC10SDTR INFINEON

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 		暂无描述
IRG4RC10SDTRL INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, PLASTIC,

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