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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | TO-252AA | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5 | 其他特性： | LOW CONDUCTION LOSS |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 8.5 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| JEDEC-95代码： | TO-252AA | JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 245 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN LEAD | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | POWER CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称断开时间 (toff)： | 345 ns | 标称接通时间 (ton)： | 56 ns |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4RC10UDTRL | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3 |
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| IRG4RC10UDTRLP | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FRE |
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| IRG4RC10UDTRLPBF | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IRG4RC10UDTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FRE |
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| IRG4RC10UDTRR | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3 |
|
| IRG4RC10UDTRRP | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FRE |
|
| IRG4RC10UDTRRPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, |
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| IRG4RC10UPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRG4RC10UTR | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRG4RC10UTRPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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