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IRG4RC10U

更新时间： 2024-01-03 11:56:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 133K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)

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IRG4RC10U 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73Base Number Matches：1

IRG4RC10U 数据手册

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PD - 91572A  
IRG4RC10U  
Ultra Fa st Sp e e d IGBT  
INSULATED G ATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
Features  
• UltraFast: Optimized for high operating  
frequencies ( 8-40 kHz in hard switching, >200  
kHz in resonant mode)  
VCES = 600V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generation  
V
CE(on) typ. = 2.15V  
G
@VGE = 15V, IC = 5.0A  
E
• Industry standard TO-252AA package  
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available  
• IGBT's optimized for specified application conditions  
D-PAK  
TO-252AA  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
8.5  
IC @ TC = 100°C  
5.0  
A
ICM  
34  
ILM  
34  
±20  
VGE  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
110  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
38  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
15  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
3.3  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Weight  
–––  
50  
0.3 (0.01)  
–––  
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
www.irf.com  
1
8/30/99  
12345678

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IRG4RC10U 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4RC10UTRPBF INFINEON

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IRG4RC10UTR INFINEON

功能相似

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与IRG4RC10U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4RC10UD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4RC10UDPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRG4RC10UDTR INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
IRG4RC10UDTRL INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
IRG4RC10UDTRLP INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FRE
IRG4RC10UDTRLPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor,
IRG4RC10UDTRPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FRE
IRG4RC10UDTRR INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
IRG4RC10UDTRRP INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FRE
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