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IRG4ZH50KD

更新时间： 2024-01-09 11:54:14
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管电动机控制瞄准线栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 244K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG4ZH50KD 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PXSO-F7针数：7
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.92
Is Samacsys：N其他特性：ULTRA FAST SOFT RECOVERY, LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC)：54 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：290 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 VJESD-30 代码：R-PXSO-F7
JESD-609代码：e0元件数量：1
端子数量：7最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：210 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：FLAT端子位置：UNSPECIFIED
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：290 ns
标称接通时间 (ton)：73 nsBase Number Matches：1

IRG4ZH50KD 数据手册

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PD - 9.1680  
IRG4ZH50KD  
Surface Mountable Short  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
Circuit Rated UltraFast IGBT  
C
n-channel  
● High short circuit rating optimized for motor control, tsc = 10µs,  
VCES = 1200V  
VCC = 720V, TJ = 125°C, VGE = 15V  
● IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast, ultra-soft  
recovery antiparallel diodes for use in bridge configurations  
VCE( )typ = 2.79V  
ON  
● Combines low conduction losses with high switching speed  
● Low profile low inductance SMD-10 Package  
● Separated control & Power-connections for easy paralleling  
● Good coplanarity  
G
@VGE = 15V, IC = 29A  
E(k)  
E
● Easy solder inspection and cleaning  
Benefits  
● Highest power density and efficiency available  
● HEXFRED Diodes optimized for performance with IGBTs.  
Minimized recovery characteristics  
● High input impedance requires low gate drive power  
SMD-10  
● Less noise and interference  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
1200  
54  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current ➀  
Clamped Inductive Load Current ➁  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
29  
ICM  
108  
A
ILM  
108  
IF @ TC = 100°C  
16  
IFM  
108  
tsc  
10  
µs  
V
VGE  
± 20  
210  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
83  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
Typ.  
—
Max.  
0.60  
1.20  
—
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
SMD-10 Case-to-Heatsink (typical), *  
Weight  
—
—
—
—
—
0.44  
6.0(0.21)  
—
* Assumes device soldered to 3.0 oz. Cu on 3.0mm IMS/Aluminum board, mounted to flat, greased heatsink.  
Notes:  
➂ Pulse width  
≤ 80µs; duty factor ≤ 0.1%.  
➀
➁
1
Repetitive rating: VGE = 20V; pulse width limited by maximum  
junction temperature (figure 20)  
➃
Pulse width 5.0µs, single shot.  
VCC = 80% (VCES), VGE = 20V, L = 10µH, RG = 5.0Ω (figure 19)  
www.irf.com  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4ZH70UD INFINEON

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