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IRG4RC20FTR

更新时间： 2023-12-18 00:00:00

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	265K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3

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IRG4RC20FTR 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-252AA	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.04	其他特性：	FAST
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	22 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e0	元件数量：	1
端子数量：	2	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	245	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子面层：	TIN LEAD	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	706 ns	标称接通时间 (ton)：	51 ns
Base Number Matches：	1

IRG4RC20FTR 数据手册

PD - 91731A

IRG4RC20F

Fast Speed IGBT

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• Fast: Optimized for medium operating

frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20

kHz in resonant mode).

V_CES= 600V

• Generation 4 IGBT design provides tighter

parameter distribution and higher efficiency than

previous generation IGBTs.

V_{CE(on) typ.}= 1.82V

@V_GE= 15V, I_C= 12A

• Industry standard TO-252AA package

• Combines very low V_CE(on)with low switching

losses

N-channel

Benefits

• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency

• Optimized for specific application conditions

• High power density and current rating

D-Pak

TO-252AA

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Breakdown Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Gate-to-Emitter Voltage

V_GE

± 20

E_ARV

Reverse Voltage Avalanche Energy

Maximum Power Dissipation

5.0

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to + 150

T_STG

Storage Temperature Range

°C

Soldering Temperature, for 10 seconds

Mounting torque, 6-32 or M3 screw.

300 (0.063 in. (1.6mm) from case )

10 lbf•in (1.1N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

–––

Max.

1.9

Units

°C/W

R_θJC

R_θJA

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient (PCB mount)*

Weight

–––

0.3 (0.01)

–––

g (oz)

* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).

For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994

2/22/01

12 3 4 5 6 7 8

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IRG4RC20FTRR	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
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