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IRG4RC20FTRR

更新时间： 2024-02-02 20:29:08
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 264K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3

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IRG4RC20FTRR 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-252AA
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2针数：3
Reach Compliance Code：unknown风险等级：5.04
其他特性：FAST外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：22 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLEJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2元件数量：1
端子数量：2封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：706 ns
标称接通时间 (ton)：51 nsBase Number Matches：1

IRG4RC20FTRR 数据手册

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PD - 91731A  
IRG4RC20F  
Fast Speed IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
Features  
• Fast: Optimized for medium operating  
frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20  
kHz in resonant mode).  
VCES = 600V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generation IGBTs.  
VCE(on) typ. = 1.82V  
G
@VGE = 15V, IC = 12A  
• Industry standard TO-252AA package  
• Combines very low VCE(on) with low switching  
losses  
E
N-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency  
• Optimized for specific application conditions  
• High power density and current rating  
D-Pak  
TO-252AA  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
600  
V
IC @ TC = 25°C  
22  
IC @ TC = 100°C  
12  
A
ICM  
44  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
44  
VGE  
± 20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
5.0  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
66  
26  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.9  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Weight  
–––  
50  
0.3 (0.01)  
–––  
g (oz)  
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
2/22/01  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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