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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PXSO-F7 | 针数： | 7 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 其他特性： | ULTRAFAST | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 78 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 280 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PXSO-F7 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 7 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 功耗环境最大值： | 350 W | 最大功率耗散 (Abs)： | 350 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | FLAT | 端子位置： | UNSPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 最大关闭时间（toff）： | 400 ns |
| 标称断开时间 (toff)： | 271 ns | VCEsat-Max： | 3.5 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4ZH71KD | INFINEON |
获取价格 |
Surface Mountable Short Circuit Rated UltraFast IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI |
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| IRG5K200HF06B | INFINEON |
获取价格 |
MOD IGBT 600V 200A POWIR 62 |
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| IRG5W50HF06A | INFINEON |
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MOD IGBT 600V 50A POWIR 34 |
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| IRG6B330UDPBF | INFINEON |
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PDP TRENCH IGBT |
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| IRG6I320UPBF | INFINEON |
获取价格 |
PDP TRENCCH IGBT |
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| IRG6I330UPBF | INFINEON |
获取价格 |
PDP TRENCH IGBT |
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| IRG6IC30UPBF | INFINEON |
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PDP TRENCH IGBT |
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| IRG6S320U | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, |
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| IRG6S320UPBF | INFINEON |
获取价格 |
PDP TRENCH IGBT |
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| IRG6S320UTRL | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, |
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