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IRG6S320U PDF预览

IRG6S320U

更新时间： 2024-10-01 19:57:31
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 286K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC, D2PAK-3

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IRG6S320U 技术参数

生命周期：Obsolete包装说明：PLASTIC, D2PAK-3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.64
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：42 A
集电极-发射极最大电压：330 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-263ABJESD-30 代码：R-PSSO-G2
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：N-CHANNEL
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：270 ns标称接通时间 (ton)：75 ns
Base Number Matches：1

IRG6S320U 数据手册

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PD-96218A  
IRG6S320UPbF  
Key Parameters  
PDP TRENCH IGBT  
Features  
VCE min  
330  
1.45  
160  
150  
V
l
Advanced Trench IGBT Technology  
l
Optimized for Sustain and Energy Recovery  
circuits in PDP applications  
Low VCE(on) and Energy per Pulse (EPULSE  
for improved panel efficiency  
V
CE(ON) typ. @ IC = 24A  
V
I
RP max @ TC= 25°C  
A
TM  
l
)
TJ max  
°C  
l
l
High repetitive peak current capability  
Lead Free package  
C
C
E
G
G
D2Pak  
E
IRG6S320UPbF  
n-channel  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Description  
This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced  
trenchIGBTtechnologytoachievelowVCE(on)andlowEPULSETM ratingpersiliconareawhichimprovepanel  
efficiency. Additional features are 150°C operating junction temperature and high repetitive peak current  
capability. These features combine to make this IGBT a highly efficient, robust and reliable device for PDP  
applications.  
Absolute Maximum Ratings  
Max.  
Parameter  
Units  
VGE  
±30  
Gate-to-Emitter Voltage  
V
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
IRP @ TC = 25°C  
PD @TC = 25°C  
PD @TC = 100°C  
Continuous Collector Current, VGE @ 15V  
Continuous Collector, VGE @ 15V  
Repetitive Peak Current  
50  
25  
A
W
160  
114  
Power Dissipation  
45  
Power Dissipation  
0.91  
Linear Derating Factor  
W/°C  
°C  
TJ  
-40 to + 150  
Operating Junction and  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature for 10 seconds  
300  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
Max.  
Units  
RθJC  
Junction-to-Case  
–––  
1.1  
°C/W  
www.irf.com  
1
09/11/09  
12345678

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与IRG6S320U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG6S320UPBF INFINEON

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 		PDP TRENCH IGBT
IRG6S320UTRL INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
IRG6S320UTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE
IRG6S320UTRR INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 42A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, PLASTIC,
IRG6S320UTRRPBF INFINEON

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