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IRG7PH35UD1PBF

更新时间： 2024-01-10 20:33:53
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管开关晶体管功率控制栅局域网
页数 文件大小 规格书
9页 402K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRA-LOW VF DIODE FOR INDUCTION HEATING AND SOFT SWITCHING APPLICATIONS

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IRG7PH35UD1PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：55 weeks 1 day
风险等级：8.33Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：105 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：30 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：179 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：400 nsBase Number Matches：1

IRG7PH35UD1PBF 数据手册

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PD - 97455  
IRG7PH35UD1PbF  
IRG7PH35UD1-EP  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-LOWVFDIODE  
FORINDUCTIONHEATINGANDSOFTSWITCHINGAPPLICATIONS  
Features  
C
• Low VCE (ON) trench IGBT Technology  
• Low Switching Losses  
• SquareRBSOA  
• Ultra-LowVF Diode  
• 1300Vpk Repetitive Transient Capacity  
VCES = 1200V  
I NOMINAL = 20A  
G
• 100% of the Parts Tested for ILM  

TJ(max) = 150°C  
VCE(on) typ. = 1.9V  
• Positive VCE (ON) Temperature Co-Efficient  
• TightParameterDistribution  
• LeadFreePackage  
E
n-channel  
Benefits  
C
C
• Device optimized for induction heating and soft switching  
applications  
• High Efficiency due to Low VCE(on), low switching losses  
andUltra-lowVF  
• Ruggedtransientperformanceforincreasedreliability  
• Excellent current sharing in parallel operation  
• Low EMI  
E
E
C
C
G
G
TO-247AC  
TO-247AD  
IRG7PH35UD1PbF  
IRG7PH35UD1-EP  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Nominal Current  
1200  
V
VCES  
50  
IC @ TC = 25°C  
25  
IC @ TC = 100°C  
20  
INOMINAL  
ICM  
Pulse Collector Current, VGE=15V  
Clamped Inductive Load Current, VGE=20V  
60  
A
ILM  
80  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
50  
25  
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
80  
IFM  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
±30  
V
VGE  
179  
W
PD @ TC = 25°C  
71  
PD @ TC = 100°C  
-55 to +150  
TJ  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.24  
40  
Max.  
0.70  
1.35  
–––  
Units  
Rθ (IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
JC  
Rθ (Diode)  
JC  
°C/W  
Rθ  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
CS  
Rθ  
JA  
–––  
1
www.irf.com  
02/09/2010  
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IRG7PH35UD1PBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IKW25N120T2 INFINEON

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