5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > IRG7PH42UD2-EPBF
IRG7PH42UD2-EPBF PDF预览

IRG7PH42UD2-EPBF

更新时间： 2024-01-09 05:38:51
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 局域网栅
页数 文件大小 规格书
9页 456K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, LEAD FREE PACKAGE-3

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRG7PH42UD2-EPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.14最大集电极电流 (IC)：60 A
集电极-发射极最大电压：1200 V最大降落时间（tf）：85 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：30 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
JESD-609代码：e3端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：321 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
Base Number Matches：1

IRG7PH42UD2-EPBF 数据手册

 浏览型号IRG7PH42UD2-EPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRG7PH42UD2-EPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRG7PH42UD2-EPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRG7PH42UD2-EPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRG7PH42UD2-EPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRG7PH42UD2-EPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 96219  
IRG7PH42UD2PbF  
IRG7PH42UD2-EPbF  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTORWITHULTRA-LOWVFDIODE  
FORINDUCTIONHEATINGANDSOFTSWITCHINGAPPLICATIONS  
Features  
C
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology  
• Low Switching Losses  
• SquareRBSOA  
VCES = 1200V  
• 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM  
• Positive VCE (ON) Temperature co-efficient  
• Ultra-lowVF Diode  
• Tightparameterdistribution  
• LeadFreePackage  
)
IC = 30A, TC = 100°C  
G
VCE(on) typ. = 1.69V  
E
n-channel  
Benefits  
C
C
• Device optimized for induction heating and soft switching  
applications  
• High Efficiency due to Low VCE(on), Low Switching Losses  
andUltra-lowVF  
• RuggedtransientPerformanceforincreasedreliability  
• ExcellentCurrentsharinginparalleloperation  
• Low EMI  
E
E
C
C
G
G
TO-247AC  
TO-247AD  
IRG7PH42UD2PbF  
IRG7PH42UD2-EPbF  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
1200  
60  
V
VCES  
Continuous Collector Current  
IC @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current  
30  
IC @ TC = 100°C  
Pulse Collector Current, VGE=15V  
Clamped Inductive Load Current, VGE=20V  
ICM  
ILM  
90  
A
120  
Diode Continous Forward Current  
10  
IF @ TC = 100°C  
IFSM  
Diode Non Repetitive Peak Surge Current @ TJ = 25°C  
Diode Peak Repetitive Forward Current  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
170  
90  
IFM  
±30  
V
VGE  
321  
PD @ TC = 25°C  
W
Maximum Power Dissipation  
128  
PD @ TC = 100°C  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TJ  
°C  
Storage Temperature Range  
TSTG  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.24  
40  
Max.  
0.39  
0.82  
–––  
Units  
Rθ (IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
JC  
Rθ (Diode)  
JC  
°C/W  
Rθ  
CS  
Rθ  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
–––  
JA  
1
www.irf.com  
01/07/09  
1234567...9

中文翻译

下载PDF

与IRG7PH42UD2-EPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG7PH42UD2PBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AC, LEAD FRE
IRG7PH42UD-EP INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG7PH42UDPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG7PH42U-EP INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG7PH42UPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG7PH44K10D-EPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IRG7PH44K10DPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IRG7PH44K10DPBF_15 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IRG7PH46UD-EP INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG7PH46UDPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

与IRG7PH42UD2-EPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证