5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRG7PH46UD-EP
IRG7PH46UD-EP PDF预览

IRG7PH46UD-EP

更新时间： 2024-01-14 10:04:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管功率控制双极性晶体管栅PC局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
11页 439K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRG7PH46UD-EP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：8.38
Samacsys Confidence：4Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：376983Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Transistor IGBTSamacsys Package Category：Transistor Outline, Vertical
Samacsys Footprint Name：TO-247AD-1Samacsys Released Date：2018-07-06 12:04:34
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：108 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：60 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：30 V
JEDEC-95代码：TO-247ADJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：390 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：60 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：680 ns标称接通时间 (ton)：80 ns
Base Number Matches：1

IRG7PH46UD-EP 数据手册

 浏览型号IRG7PH46UD-EP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRG7PH46UD-EP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRG7PH46UD-EP的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRG7PH46UD-EP的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRG7PH46UD-EP的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRG7PH46UD-EP的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97498  
IRG7PH46UDPbF  
IRG7PH46UD-EP  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
C
• Low VCE (ON) trench IGBT technology  
• Low switching losses  
• SquareRBSOA  
VCES = 1200V  
I NOMINAL = 40A  
• 100% of the parts tested for ILM  

• Positive VCE (ON) temperature co-efficient  
• Ultra fast soft recovery co-pak diode  
• Tightparameterdistribution  
• Lead-Free  
G
TJ(max) = 150°C  
E
VCE(on) typ. = 1.7V  
n-channel  
Benefits  
• High efficiency in a wide range of applications  
• Suitable for a wide range of switching frequencies due to  
low VCE (ON) and low switching losses  
C
C
• Ruggedtransientperformanceforincreasedreliability  
• Excellent current sharing in parallel operation  
E
E
C
Applications  
• U.P.S.  
• Welding  
• SolarInverter  
• InductionHeating  
C
G
G
TO-247AC  
IRG7PH46UDPbF  
TO-247AD  
IRG7PH46UD-EP  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
1200  
108  
57  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
V
VCES  
Continuous Collector Current (Silicon Limited)  
Continuous Collector Current (Silicon Limited)  
Nominal Current  
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
40  
INOMINAL  
ICM  
Pulse Collector Current, VGE = 15V  
Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V  
120  
160  
108  
57  
A
ILM  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
160  
±30  
390  
156  
IFM  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
V
VGE  
W
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C  
-55 to +150  
TJ  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.24  
40  
Max.  
0.32  
0.66  
–––  
Units  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Rθ (IGBT)  
JC  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Rθ (Diode)  
JC  
°C/W  
Rθ  
CS  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
Rθ  
JA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
–––  
1
www.irf.com  
04/26/2010  
1234567...11

中文翻译

下载PDF

IRG7PH46UD-EP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IKW40N120CS6XKSA1 INFINEON

类似代替

 Insulated Gate Bipolar Transistor,

与IRG7PH46UD-EP相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG7PH46UDPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG7PH46U-EP INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG7PH46UPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG7PH50K10D-EPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IRG7PH50K10DPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IRG7PH50K10DPBF_15 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IRG7PH50U-EP INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG7PH50UPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG7PK35UD1PBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode
IRG7PK35UD1PBF_15 INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor with Ultrafast Soft Recovery Diode

与IRG7PH46UD-EP相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证