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IRG7S313UTRRPBF

更新时间： 2024-10-31 21:03:03

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英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	244K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 330V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRG7S313UTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.06	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	40 A	集电极-发射极最大电压：	330 V
配置：	SINGLE	门极发射器阈值电压最大值：	4.7 V
门极-发射极最大电压：	30 V	JEDEC-95代码：	TO-263AB
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	78 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	30	晶体管应用：	POWER CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	276 ns
标称接通时间 (ton)：	25 ns	Base Number Matches：	1

IRG7S313UTRRPBF 数据手册

PD - 97402A

IRG7S313UPbF

PDP TRENCH IGBT

Key Parameters

Features

V_CEmin

330

1.35

160

150

Advanced Trench IGBT Technology

Optimized for Sustain and Energy Recovery

circuits in PDP applications

V_CE(ON)typ. @ I_C= 20A

I_RPmax @ T_C= 25°C

T_Jmax

Low V_CE(on)and Energy per Pulse (E_PULSE

for improved panel efficiency

)

°C

High repetitive peak current capability

Lead Free package

D²Pak

IRG7S313UPbF

n-channel

Gate

Collector

Emitter

Description

This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced

trenchIGBTtechnologytoachievelowV_CE(on)andlowE_PULSE^TMratingpersiliconareawhichimprovepanel

efficiency. Additional features are 150°C operating junction temperature and high repetitive peak current

capability. These features combine to make this IGBT a highly efficient, robust and reliable device for PDP

applications.

Absolute Maximum Ratings

Max.

Parameter

Units

V_GE

±30

Gate-to-Emitter Voltage

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_RP@ T_C= 25°C

P_D@T_C= 25°C

P_D@T_C= 100°C

Continuous Collector Current, V_GE@ 15V

Continuous Collector, V_GE@ 15V

Repetitive Peak Current

160

Power Dissipation

0.63

Linear Derating Factor

W/°C

°C

T_J

-40 to + 150

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature for 10 seconds

300

Thermal Resistance

Parameter

Typ.

Max.

Units

R_θJC

Junction-to-Case

–––

1.6

°C/W

www.irf.com

9/11/09

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG7S319UPBF	INFINEON	获取价格	PDP TRENCH IGBT
IRG7SC12FPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IRG7SC12FTRLPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IRG7SC12FTRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 24A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
IRG7SC28UPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE
IRG7SC28UTRLPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE
IRG7SC28UTRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE
IRG7T100HF12A	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,
IRG7T100HF12B	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor
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