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IRG7SC28UTRRPBF

更新时间： 2024-09-13 19:49:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	200K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 60A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-263AB, LEAD FREE, PLASTIC, D2PAK-3

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IRG7SC28UTRRPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	其他特性：	HIGH RELIABILITY
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	60 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
门极发射器阈值电压最大值：	4.7 V	门极-发射极最大电压：	30 V
JEDEC-95代码：	TO-263AB	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	171 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	600 ns	标称接通时间 (ton)：	65 ns
Base Number Matches：	1

IRG7SC28UTRRPBF 数据手册

PD - 97569A

PDP TRENCH IGBT

IRG7SC28UPbF

Key Parameters

Features

V_CEmin

600

1.70

225

150

Advanced Trench IGBT Technology

V_CE(ON)typ. @ I_C= 40A

I_RPmax @ T_C= 25°C

T_Jmax

Optimized for Sustain and Energy Recovery

circuits in PDP applications

Low V_CE(on)and Energy per Pulse (E_PULSE

for improved panel efficiency

)

°C

High repetitive peak current capability

Lead Free package

D²Pak

IRG7SC28UPbF

n-channel

Gate

Collector

Emitter

Description

This IGBT is specifically designed for applications in Plasma Display Panels. This device utilizes advanced

trenchIGBTtechnologytoachievelowV_CE(on)andlowE_PULSE^TMratingpersiliconareawhichimprovepanel

efficiency. Additional features are 150°C operating junction temperature and high repetitive peak current

capability. These features combine to make this IGBT a highly efficient, robust and reliable device for PDP

applications.

Absolute Maximum Ratings

Max.

Parameter

Units

V_GE

±30

Gate-to-Emitter Voltage

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

Continuous Collector Current, V_GE@ 15V

Continuous Collector, V_GE@ 15V

Repetitive Peak Current

I_RP@ T_C= 25°C

225

P_D@T_C= 25°C

P_D@T_C= 100°C

171

Power Dissipation

1.37

Linear Derating Factor

W/°C

°C

T_J

-40 to + 150

Operating Junction and

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature for 10 seconds

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

300

10lb in (1.1N m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case

Junction-to-Ambient (PCB Mount)

Typ.

–––

Max.

0.73

Units

°C/W

R_θJC

R_θJA

–––

www.irf.com

07/11/11

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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