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IRGB10B60KD

更新时间： 2024-09-14 22:07:03
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描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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PD - 94382D  
IRGB10B60KD  
IRGS10B60KD  
IRGSL10B60KD  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
VCES = 600V  
Features  
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.  
• Low Diode VF.  
• 10µs Short Circuit Capability.  
• Square RBSOA.  
• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
IC = 12A, TC=100°C  
tsc > 10µs, TJ=150°C  
G
E
VCE(on) typ. = 1.8V  
n-channel  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control.  
• Rugged Transient Performance.  
• Low EMI.  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.  
D2Pak  
IRGS10B60KD IRGSL10B60KD  
TO-262  
TO-220AB  
IRGB10B60KD  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
ICM  
22  
12  
44  
ILM  
Clamped Inductive Load Current „  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
44  
A
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
IFM  
22  
10  
44  
VGE  
± 20  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
156  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
62  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.8  
Units  
°C/W  
g
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - Diode  
–––  
3.4  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)‚  
Weight  
0.50  
–––  
–––  
62  
–––  
40  
1.44  
–––  
www.irf.com  
1
8/18/04  
1234567...15

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IRGB10B60KDPBF INFINEON

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