Datasheet > IRGB30B60K

IRGB30B60K

更新时间： 2024-11-04 22:07:03

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管栅
页数	文件大小	规格书
13页	328K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

IRGB30B60K 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	TO-220AB, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.12	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	75 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	237 ns
标称接通时间 (ton)：	74 ns	Base Number Matches：	1

IRGB30B60K 数据手册

PD - 94799

IRGB30B60K

IRGS30B60K

IRGSL30B60K

V_CES= 600V

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

I_C= 50A, T_C=100°C

at T_J=175°C

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

t_sc> 10µs, T_J=150°C

V_CE(on)typ. = 1.95V

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.

n-channel

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

D²Pak

IRGS30B60K

TO-262

IRGSL30B60K

TO-220AB

IRGB30B60K

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

600

Units

Collector-to-Emitter Voltage

V_CES

I_C@ T_C= 25°C

Continuous Collector Current

Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)

Clamped Inductive Load current

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

120

I_LM

V_ISOL

V_GE

RMS Isolation Voltage, Terminal to Case, t=1 min.

Gate-to-Emitter Voltage

2500

±20

P_D@ T_C= 25°C Maximum Power Dissipation

370

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and

180

P_D@ T_C= 100°C

T_J

-55 to +175

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw

°C

T_STG

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf·in (1.1 N·m)

Thermal / Mechanical Characteristics

Parameter

Min.

–––

Typ.

–––

Max.

0.41

–––

Units

°C/W

Junction-to-Case- IGBT

R_θ

R_θCS

Case-to-Sink, flat, greased surface

0.50

–––

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Junction-to-Ambient (PCB Mount, Steady State)

R_θ

R_θJA

–––

Weight

1.44

–––

www.irf.com

10/8/03

12 3 4 5 6 7...13

中文翻译

下载PDF

IRGB30B60K 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
IRGB30B60KPBF	INFINEON	完全替代	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

与IRGB30B60K相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRGB30B60KPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRGB4045DPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4055PBF	INFINEON	获取价格	Advanced Trench IGBT Technology
IRGB4056DPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4059DPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR
IRGB4060DPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4061DPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4062DPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4064DPBF	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR
IRGB4065PBF	INFINEON	获取价格	PDP TRENCH IGBT

与IRGB30B60K相关文章

英伟达新AI芯片Rubin或提前半年亮相
2024-11-05

13
苹果iPhone 17将全系采用三星/LG显示LTPO OLED面板
2024-11-05

9
三星深化印度制造布局，供应链本地化进程加速
2024-10-29

35
芯擎科技“星辰一号”自动驾驶芯片点亮成功，2025年量产在即
2024-10-29

31

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRGB30B60K

IRGB30B60K 技术参数

IRGB30B60K 数据手册

IRGB30B60K 替代型号

与IRGB30B60K相关器件

与IRGB30B60K相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

IRGB30B60K

IRGB30B60K 技术参数

IRGB30B60K 数据手册

IRGB30B60K 替代型号

与IRGB30B60K相关器件

与IRGB30B60K相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？