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IRGB4B60KPBF

更新时间： 2024-11-05 04:19:23

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRGB4B60KPBF 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	5.05	Is Samacsys：	N
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	12 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE
最大降落时间（tf）：	89 ns	门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V
门极-发射极最大电压：	20 V	JEDEC-95代码：	TO-220AB
JESD-30 代码：	R-PSFM-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	175 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLANGE MOUNT	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	N-CHANNEL	最大功率耗散 (Abs)：	63 W
认证状态：	Not Qualified	最大上升时间（tr）：	23 ns
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	199 ns
标称接通时间 (ton)：	40 ns	Base Number Matches：	1

IRGB4B60KPBF 数据手册

PD - 95643

IRGB4B60KPbF

IRGS4B60K

IRGSL4B60K

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• 10µs Short Circuit Capability.

V_CES= 600V

• Square RBSOA.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.

I_C= 6.8A, T_C=100°C

t_sc> 10µs, T_J=150°C

• TO-220 is available in PbF as a Lead-Free.

V_CE(on)typ. = 2.1V

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

n-channel

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

D²Pak

TO-262

TO-220

IRGS4B60K

IRGSL4B60K

IRGB4B60KPbF

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)

Clamped Inductive Load current

Gate-to-Emitter Voltage

600

V_CES

I_C@ T_C= 25°C

6.8

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

±20

I_LM

V_GE

Maximum Power Dissipation

Operating Junction and

P_D@ T_C= 25°C

P_D@ T_C= 100°C

-55 to +175

T_J

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

°C

T_STG

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

Thermal / Mechanical Characteristics

Parameter

Min.

–––

Typ.

–––

Max.

2.4

Units

Junction-to-Case- IGBT

°C/W

R_θ

Case-to-Sink, flat, greased surface

Junction-to-Ambient

0.50

–––

R_θCS

R_θ

–––

Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)

Weight

R_θJA

1.44

–––

www.irf.com

7/26/04

12 3 4 5 6 7...14

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