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IRGB4056DPBF

更新时间： 2024-09-15 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管功率控制栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGB4056DPBF 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：Active
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：0.63Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：24 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：31 ns门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：140 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：24 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：143 ns
标称接通时间 (ton)：48 nsBase Number Matches：1

IRGB4056DPBF 数据手册

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PD - 97188  
IRGB4056DPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology  
C
VCES = 600V  
• Low switching losses  
• Maximum Junction temperature 175 °C  
• 5 µS short circuit SOA  
IC = 12A, TC = 100°C  
• SquareRBSOA  
G
tSC ≥ 5µs, TJ(max) = 175°C  
• 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM  
• Positive VCE (ON) Temperature co-efficient  
• Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode  
• Tightparameterdistribution  
)
E
VCE(on) typ. = 1.55V  
n-channel  
• LeadFreePackage  
Benefits  
C
• High Efficiency in a wide range of applications  
• Suitable for a wide range of switching frequencies due to  
Low VCE (ON) and Low Switching losses  
• RuggedtransientPerformanceforincreasedreliability  
• ExcellentCurrentsharinginparalleloperation  
• Low EMI  
E
C
G
TO-220AB  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
24  
IC @ TC = 100°C  
12  
48  
ICM  
Clamped Inductive Load Current  
ILM  
48  
A
IF @ TC = 25°C  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
24  
IF @ TC = 100°C  
12  
IFM  
48  
VGE  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Transient Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
±20  
±30  
140  
70  
V
PD @ TC = 25°C  
W
PD @ TC = 100°C  
TJ  
-55 to +175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.50  
80  
Max.  
1.07  
3.66  
–––  
Units  
°C/W  
RθJC (IGBT)  
RθJC (Diode)  
RθCS  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
–––  
1
www.irf.com  
02/24/06  
1234567...10

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