捷配首页

Datasheet > IRGB4061DPBF
IRGB4061DPBF PDF预览

IRGB4061DPBF

更新时间： 2025-09-18 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管功率控制栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 405K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRGB4061DPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：1 week
风险等级：7.72外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：36 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：35 ns
门极发射器阈值电压最大值：6.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：206 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：35 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：160 ns标称接通时间 (ton)：65 ns
Base Number Matches：1

IRGB4061DPBF 数据手册

 浏览型号IRGB4061DPBF的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRGB4061DPBF的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRGB4061DPBF的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRGB4061DPBF的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRGB4061DPBF的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRGB4061DPBF的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 97189B  
IRGB4061DPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
• Low VCE (ON) Trench IGBT Technology  
C
VCES = 600V  
• Low switching losses  
• Maximum Junction temperature 175 °C  
• 5 μS short circuit SOA  
IC = 18A, TC = 100°C  
• SquareRBSOA  
G
tSC ≥ 5μs, TJ(max) = 175°C  
• 100% of the parts tested for 4X rated current (ILM  
• Positive VCE (ON) Temperature co-efficient  
• Ultra fast soft Recovery Co-Pak Diode  
• Tightparameterdistribution  
)
E
VCE(on) typ. = 1.65V  
n-channel  
• LeadFreePackage  
Benefits  
C
• High Efficiency in a wide range of applications  
• Suitable for a wide range of switching frequencies due to  
Low VCE (ON) and Low Switching losses  
• RuggedtransientPerformanceforincreasedreliability  
• ExcellentCurrentsharinginparalleloperation  
• Low EMI  
E
C
G
TO-220AB  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
36  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
IC @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current  
IC @ TC = 100°C  
18  
ICM  
72  
Clamped Inductive Load Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Transient Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
ILM  
72  
A
IF @ TC = 25°C  
36  
IF @ TC = 100°C  
18  
IFM  
72  
VGE  
±20  
±30  
206  
103  
-55 to +175  
V
PD @ TC = 25°C  
W
PD @ TC = 100°C  
TJ  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.50  
80  
Max.  
0.73  
2.00  
–––  
Units  
°C/W  
RθJC (IGBT)  
RθJC (Diode)  
RθCS  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
RθJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
–––  
1
www.irf.com  
09/06/07  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IRGB4061DPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IKP20N60T INFINEON

类似代替

 IGBT in Trench and Fieldstop technology with soft,fast recovery anti-parallel EmCon HE dio

与IRGB4061DPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRGB4062DPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRGB4064DPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODEINSULATED GATE BIPOLAR
IRGB4065PBF INFINEON

获取价格

 		PDP TRENCH IGBT
IRGB4086PBF INFINEON

获取价格

 		PDD TRENCH IGBT
IRGB410U INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 500V V(BR)CES, N-Channel, TO-220AB, TO-220, 3 PIN
IRGB420 INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=7.5A)
IRGB420U INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=7.5A)
IRGB420UD2 INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=500V, @Vge=15V,Ic=7.5A
IRGB430 INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)
IRGB430U INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=500V, @Vge=15V, Ic=15A)

与IRGB4061DPBF相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2025 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证