是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | TO-220AB | 包装说明: | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
针数: | 3 | Reach Compliance Code: | unknown |
风险等级: | 5.57 | Is Samacsys: | N |
其他特性: | ULTRA FAST | 外壳连接: | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC): | 13 A | 集电极-发射极最大电压: | 600 V |
配置: | SINGLE | 最大降落时间(tf): | 280 ns |
门极发射器阈值电压最大值: | 5.5 V | 门极-发射极最大电压: | 20 V |
JEDEC-95代码: | TO-220AB | JESD-30 代码: | R-PSFM-T3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | 225 |
极性/信道类型: | N-CHANNEL | 功耗环境最大值: | 60 W |
最大功率耗散 (Abs): | 60 W | 认证状态: | Not Qualified |
子类别: | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装: | NO |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | THROUGH-HOLE |
端子位置: | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间: | 30 |
晶体管应用: | POWER CONTROL | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称断开时间 (toff): | 340 ns | 标称接通时间 (ton): | 36 ns |
VCEsat-Max: | 3 V | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
IRGBC20FD2 | INFINEON | Fit Rate / Equivalent Device Hours |
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IRGBC20K | INFINEON | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=6.0A) |
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IRGBC20KD2 | INFINEON | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, |
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IRGBC20KD2S | ETC | TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 10A I(C) | TO-252VAR |
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IRGBC20KD2-S | ETC |
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IRGBC20KD2-STRL | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 10A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN |
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