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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRGB4B60KD1PBF
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IRGB4B60KD1PBF

更新时间： 2024-11-05 04:19:23
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管电动机控制双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGB4B60KD1PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.06
其他特性：ULTRA FAST SOFT RECOVERY外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：11 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：89 ns
门极发射器阈值电压最大值：5.5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：63 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：23 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：199 ns标称接通时间 (ton)：40 ns
Base Number Matches：1

IRGB4B60KD1PBF 数据手册

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PD - 95616  
IRGB4B60KD1PbF  
IRGS4B60KD1  
IRGSL4B60KD1  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
VCES = 600V  
Features  
• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.  
IC = 7.6A, TC=100°C  
tsc > 10µs, TJ=150°C  
VCE(on) typ. = 2.1V  
• 10µs Short Circuit Capability.  
G
• Square RBSOA.  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
E
• Maximum Junction Temperature rated at 175°C.  
• TO-220 is available in PbF as Lead-Free  
n-channel  
Benefits  
• Benchmark Efficiency for Motor Control.  
• Rugged Transient Performance.  
• Low EMI.  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.  
D2Pak  
IRGS4B60KD1  
TO-262  
IRGSL4B60KD1  
TO-220  
IRGB4B60KD1PbF  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
600  
V
VCES  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current (Ref.Fig.C.T.5)  
Clamped Inductive Load current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
11  
IC @ TC = 25°C  
7.6  
A
IC @ TC = 100°C  
22  
ICM  
22  
ILM  
11  
IF @ TC = 25°C  
6.7  
IF @ TC = 100°C  
22  
±20  
IFM  
V
VGE  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
63  
W
PD @ TC = 25°C  
31  
PD @ TC = 100°C  
-55 to +175  
TJ  
Storage Temperature Range  
Storage Temperature Range, for 10 sec.  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal / Mechanical Characteristics  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
2.4  
Units  
°C/W  
Junction-to-Case- IGBT  
RθJC  
Junction-to-Case- Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient  
–––  
6.1  
Rθ  
JC  
0.50  
–––  
–––  
62  
RθCS  
Rθ  
JA  
–––  
40  
Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)  
Weight  
RθJA  
1.44  
–––  
g
Wt  
www.irf.com  
1
8/10/04  
1234567...15

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与IRGB4B60KD1PBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRGB4B60KD1TRL INFINEON

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