IRGBC20MD2-S

更新时间： 2024-01-31 15:18:16

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A)

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IRGBC20MD2-S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	其他特性：	SHORT CIRCUIT RATED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	13 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	60 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	520 ns
标称接通时间 (ton)：	65 ns	VCEsat-Max：	2.5 V
Base Number Matches：	1

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PD - 9.1141

IRGBC20MD2-S

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

Short Circuit Rated

Fast CoPack IGBT

Features

• Short circuit rated -10µs @125°C, V _GE= 15V

• Switching-loss rating includes all "tail" losses

• HEXFRED^TMsoft ultrafast diodes

• Optimized for medium operating frequency ( 1 to

10kHz) See Fig. 1 for Current vs. Frequency curve

V_CES= 600V

_CE(sat)≤ 2.5V

@V_GE= 15V, I_C= 8.0A

n-channel

Description

Co-packaged IGBTs are a natural extension of International Rectifier's well

known IGBT line. They provide the convenience of an IGBT and an ultrafast

recovery diode in one package, resulting in substantial benefits to a host of

high-voltage, high-current, applications.

These new short circuit rated devices are especially suited for motor control

and other applications requiring short circuit withstand capability.

SMD-220

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

8.0

I_CM

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Diode Continuous Forward Current

Diode Maximum Forward Current

Short Circuit Withstand Time

Gate-to-Emitter Voltage

I_F@ T_C= 100°C

7.0

I_FM

t_sc

± 20

µs

V_GE

P_D@ T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

10 lbf•in (1.1 N•m)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case - IGBT

Min.

Typ.

—

Max.

Units

R_θJC

R_θJA

—

2.1

3.5

—

Junction-to-Case - Diode

Junction-to-Ambient, (PCB Mount)**

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Weight

—

°C/W

—

2 (0.07)

g (oz)

** When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material)

For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994.

Revision 2

C-365

To Order

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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