IRGBC20MD2-S

更新时间： 2024-01-18 19:29:55

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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=8.0A)

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IRGBC20MD2-S 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.67	其他特性：	SHORT CIRCUIT RATED
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	13 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值：	5.5 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JESD-30 代码：	R-PSSO-G2	JESD-609代码：	e0
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
功耗环境最大值：	60 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN LEAD
端子形式：	GULL WING	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	520 ns
标称接通时间 (ton)：	65 ns	VCEsat-Max：	2.5 V
Base Number Matches：	1

IRGBC20MD2-S 数据手册

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IRGBC20MD2-S

600

V_CE= 400V

I_C= 8.0A

= 0V,

f = 1MHz

ies

= C + C

C SHORTED

= C

res

oes

= C + C

ies

400

200

oes

res

100

Q , Total Gate Charge (nC)

, Collector-to-Emitter Voltage (V)

Fig. 7 - Typical Capacitance vs.

Fig. 8 - Typical Gate Charge vs.

Collector-to-Emitter Voltage

Gate-to-Emitter Voltage

1.64

1.62

1.60

1.58

1.56

V_CC= 480V

V_GE= 15V

T_C= 25°C

I_C= 8.0A

Ω

R_G= 50

V_GE= 15V

V_CC= 480V

I_C= 16A

I_C= 8.0A

I_C= 4.0A

0.1

-60 -40 -20

20 40 60 80 100 120 140 160

T , Case Temperature (°C)

Ω

, Gate Resistance ( )

Fig. 9 - Typical Switching Losses vs. Gate

Fig. 10 - Typical Switching Losses vs.

Resistance

Case Temperature

C-369

To Order

1 2 3 456 7 8

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