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IRGBC30KD2-STRR

更新时间: 2024-01-01 18:48:16
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英飞凌 - INFINEON 电动机控制晶体管
页数 文件大小 规格书
8页 259K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 23A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN

IRGBC30KD2-STRR 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数:3Reach Compliance Code:compliant
风险等级:5.78其他特性:SHORT CIRCUIT RATED
外壳连接:COLLECTOR最大集电极电流 (IC):23 A
集电极-发射极最大电压:600 V配置:SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
门极发射器阈值电压最大值:5.5 V门极-发射极最大电压:20 V
JESD-30 代码:R-PSSO-G2JESD-609代码:e0
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED极性/信道类型:N-CHANNEL
功耗环境最大值:100 W认证状态:Not Qualified
表面贴装:YES端子面层:TIN LEAD
端子形式:GULL WING端子位置:SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED晶体管应用:MOTOR CONTROL
晶体管元件材料:SILICON标称断开时间 (toff):190 ns
标称接通时间 (ton):64 nsVCEsat-Max:3.8 V
Base Number Matches:1

IRGBC30KD2-STRR 数据手册

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