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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.84 | 其他特性： | SHORT CIRCUIT RATED |
| 外壳连接： | COLLECTOR | 最大集电极电流 (IC)： | 23 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 600 V | 配置： | SINGLE |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 5.5 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 150 °C |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 功耗环境最大值： | 100 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 | 晶体管应用： | MOTOR CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 170 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 30 ns | VCEsat-Max： | 3.8 V |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
| IRGBC30M | INFINEON | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A) |
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| IRGBC30MD2 | INFINEON | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY(Vces=600V, @Vge=15V, Ic=16A |
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| IRGBC30MD2-S | INFINEON | INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, @Vge=15V, |
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| IRGBC30MD2-STRL | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN |
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| IRGBC30MD2-STRLPBF | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN |
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| IRGBC30MD2-STRR | INFINEON | Insulated Gate Bipolar Transistor, 26A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, SMD-220, 3 PIN |
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