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IRGB4045DPBF PDF预览

IRGB4045DPBF

更新时间： 2024-09-15 04:23:15
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英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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10页 781K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGB4045DPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.7
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：12 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：22 ns门极发射器阈值电压最大值：6.5 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-220AB
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：175 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：77 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：15 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：127 ns
标称接通时间 (ton)：38 nsBase Number Matches：1

IRGB4045DPBF 数据手册

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PD - 97269  
IRGB4045DPbF  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
C
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
VCES = 600V  
IC = 6.0A, TC = 100°C  
tsc > 5µs, Tjmax = 175°C  
VCE(on) typ. = 1.7V  
Features  
• Low VCE (on) Trench IGBT Technology  
• Low Switching Losses  
• Maximum Junction temperature 175 °C  
• 5µs SCSOA  
• Square RBSOA  
• 100% of the Parts Tested for ILM  
• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.  
• Ultra Fast Soft Recovery Co-pak Diode  
• Tighter Distribution of Parameters  
• Lead-Free Package  
G
E
n-channel  
C
Benefits  
E
• High Efficiency in a Wide Range of Applications  
• Suitable for a Wide Range of Switching Frequencies due  
to Low VCE (ON) and Low Switching Losses  
• Rugged Transient Performance for Increased Reliability  
• Excellent Current Sharing in Parallel Operation  
• Low EMI  
C
G
TO-220AB  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Units  
V
Max.  
600  
12  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current  
IC@ TC = 25°C  
IC@ TC = 100°C  
ICM  
6.0  
20  
Clamped Inductive Load Current c  
20  
ILM  
A
8.0  
IF@TC=25°C  
IF@TC=100°C  
IFM  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current d  
4.0  
20  
± 20  
± 30  
77  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Transient Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
V
VGE  
PD @ TC =25°  
PD @ TC =100°  
TJ  
W
39  
°C  
-55 to + 175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case - IGBT e  
Junction-to-Case - Diode e  
Min.  
Typ.  
—
Max.  
1.94  
6.30  
—
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
—
—
—
—
—
°C/W  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
0.5  
—
Junction-to-Ambient, typical socket mount e  
62  
1
www.irf.com  
11/28/06  
1234567...10

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