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IRGB15B60KD

更新时间： 2024-11-04 22:17:51

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英飞凌 - INFINEON		晶体二极管双极型晶体管电动机控制栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGB15B60KD 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.12	其他特性：	ULTRA FAST
外壳连接：	COLLECTOR	最大集电极电流 (IC)：	31 A
集电极-发射极最大电压：	600 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：	TO-220AB	JESD-30 代码：	R-PSFM-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	N-CHANNEL
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	MOTOR CONTROL
晶体管元件材料：	SILICON	标称断开时间 (toff)：	231 ns
标称接通时间 (ton)：	52 ns	Base Number Matches：	1

IRGB15B60KD 数据手册

PD - 94383C

IRGB15B60KD

IRGS15B60KD

IRGSL15B60KD

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH

ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

V_CES= 600V

Features

• Low VCE (on) Non Punch Through IGBT Technology.

• Low Diode VF.

• 10µs Short Circuit Capability.

• Square RBSOA.

• Ultrasoft Diode Reverse Recovery Characteristics.

• Positive VCE (on) Temperature Coefficient.

I_C= 15A, T_C=100°C

t_sc> 10µs, T_J=150°C

V_CE(on)typ. = 1.8V

n-channel

Benefits

• Benchmark Efficiency for Motor Control.

• Rugged Transient Performance.

• Low EMI.

• Excellent Current Sharing in Parallel Operation.

D²Pak

TO-262

TO-220AB

IRGB15B60KD

IRGS15B60KD IRGSL15B60KD

Absolute Maximum Ratings

Parameter

Max.

Units

V_CES

Collector-to-Emitter Voltage

Continuous Collector Current

Pulsed Collector Current

600

I_C@ T_C= 25°C

I_C@ T_C= 100°C

I_CM

I_LM

Clamped Inductive Load Current

Diode Continuous Forward Current

Diode Maximum Forward Current

Gate-to-Emitter Voltage

I_F@ T_C= 25°C

I_F@ T_C= 100°C

I_FM

V_GE

± 20

P_D@ T_C= 25°C

Maximum Power Dissipation

208

P_D@ T_C= 100°C Maximum Power Dissipation

T_J

Operating Junction and

-55 to +150

T_STG

Storage Temperature Range

Soldering Temperature, for 10 sec.

°C

300 (0.063 in. (1.6mm) from case)

Thermal Resistance

Parameter

Junction-to-Case - IGBT

Min.

–––

Typ.

–––

Max.

0.6

Units

°C/W

R_θJC

R_θCS

R_θJA

Junction-to-Case - Diode

–––

2.1

Case-to-Sink, flat, greased surface

Junction-to-Ambient, typical socket mount

Junction-to-Ambient (PCB Mount, steady state)

Weight

0.50

–––

1.44

–––

www.irf.com

6/24/02

12 3 4 5 6 7...16

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