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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRGB20B60PD1PBF
IRGB20B60PD1PBF PDF预览

IRGB20B60PD1PBF

更新时间： 2024-09-15 04:23:15
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管功率控制瞄准线双极性晶体管栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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11页 356K
描述
WARP2 SERIES IGBT WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRGB20B60PD1PBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：6.87
其他特性：HIGH RELIABILITY, LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：40 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE最大降落时间（tf）：17 ns
门极发射器阈值电压最大值：5 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：215 W认证状态：Not Qualified
最大上升时间（tr）：8 ns子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：138 ns标称接通时间 (ton)：25 ns
Base Number Matches：1

IRGB20B60PD1PBF 数据手册

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PD - 95615  
SMPS IGBT  
IRGB20B60PD1PbF  
WARP2 SERIES IGBT WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 2.05V  
@ VGE = 15V IC = 13.0A  
Applications  
• Telecom and Server SMPS  
• PFC and ZVS SMPS Circuits  
• Uninterruptable Power Supplies  
• ConsumerElectronicsPowerSupplies  
• Lead-Free  
Equivalent MOSFET  
Parameters   
G
Features  
RCE(on) typ. = 158mΩ  
ID (FET equivalent) = 20A  
E
• NPT Technology, Positive Temperature Coefficient  
• Lower VCE(SAT)  
• Lower Parasitic Capacitances  
• Minimal Tail Current  
n-channel  
• HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode  
• Tighter Distribution of Parameters  
• Higher Reliability  
Benefits  
E
C
• Parallel Operation for Higher Current Applications  
• Lower Conduction Losses and Switching Losses  
• Higher Switching Frequency up to 150kHz  
G
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
600  
V
VCES  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current (Ref. Fig. C.T.4)  
Clamped Inductive Load Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Maximum Repetitive Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
40  
IC @ TC = 25°C  
22  
IC @ TC = 100°C  
80  
ICM  
80  
A
ILM  
10  
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
IFRM  
4
16  
±20  
V
VGE  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
215  
W
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C  
TJ  
86  
-55 to +150  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.58  
5.0  
Units  
°C/W  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
Rθ (IGBT)  
JC  
–––  
RθJC (Diode)  
0.50  
–––  
80  
Rθ  
CS  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
Weight  
–––  
RθJA  
2 (0.07)  
–––  
g (oz)  
8/2/04  
1234567...11

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IRGB20B60PD1PBF 替代型号

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