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Datasheet > 晶体管 > IGBT> IRGB20B60PD1
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IRGB20B60PD1

更新时间： 2024-10-31 22:07:03
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 双极性晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 351K
描述
SMPS IGBT

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IRGB20B60PD1 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.12其他特性：HIGH RELIABILITY
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：40 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-220ABJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：121 ns标称接通时间 (ton)：25 ns
Base Number Matches：1

IRGB20B60PD1 数据手册

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PD - 94613A  
IRGB20B60PD1  
SMPS IGBT  
WARP2 SERIES IGBT WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 2.05V  
@ VGE = 15V IC = 13.0A  
Applications  
• Telecom and Server SMPS  
• PFC and ZVS SMPS Circuits  
• Uninterruptable Power Supplies  
• Consumer Electronics Power Supplies  
Equivalent MOSFET  
Parameters   
G
Features  
RCE(on) typ. = 158mΩ  
ID (FET equivalent) = 20A  
E
• NPT Technology, Positive Temperature Coefficient  
• Lower VCE(SAT)  
• Lower Parasitic Capacitances  
• Minimal Tail Current  
n-channel  
• HEXFRED Ultra Fast Soft-Recovery Co-Pack Diode  
• Tighter Distribution of Parameters  
• Higher Reliability  
Benefits  
E
C
• Parallel Operation for Higher Current Applications  
• Lower Conduction Losses and Switching Losses  
• Higher Switching Frequency up to 150kHz  
G
TO-220AB  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
Collector-to-Emitter Voltage  
600  
V
VCES  
IC @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulse Collector Current (Ref. Fig. C.T.4)  
Clamped Inductive Load Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Maximum Repetitive Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
40  
22  
IC @ TC = 100°C  
ICM  
80  
80  
A
ILM  
IF @ TC = 25°C  
IF @ TC = 100°C  
IFRM  
10  
4
16  
±20  
V
VGE  
PD @ TC = 25°C  
PD @ TC = 100°C  
TJ  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
215  
W
86  
-55 to +150  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
TSTG  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.58  
5.0  
Units  
°C/W  
RθJC (IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
–––  
Rθ (Diode)  
JC  
RθCS  
0.50  
–––  
80  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
Weight  
–––  
Rθ  
JA  
2 (0.07)  
–––  
g (oz)  
1
www.irf.com  
12/10/03  
1234567...10

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IRGB20B60PD1 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRGB20B60PD1PBF INFINEON

完全替代

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