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IRG7PH46UPBF

更新时间： 2024-01-31 14:23:37
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英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制双极性晶体管栅局域网
页数 文件大小 规格书
10页 384K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

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IRG7PH46UPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.58
Is Samacsys：N外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：117 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：65 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：30 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：175 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：469 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：55 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：700 ns标称接通时间 (ton)：80 ns
Base Number Matches：1

IRG7PH46UPBF 数据手册

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PD - 96305  
IRG7PH46UPbF  
IRG7PH46U-EP  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
• Low VCE (ON) trench IGBT technology  
C
VCES = 1200V  
IC = 75A, TC = 100°C  
TJ(max) =175°C  
• Low switching losses  
• Maximum junction temperature 175 °C  
• SquareRBSOA  
• 100% of the parts tested for ILM  
• Positive VCE (ON) temperature co-efficient  
• Tightparameterdistribution  
• Lead-Free  
G
E
V
CE(on) typ. = 1.7V  
n-channel  
Benefits  
• High efficiency in a wide range of applications  
• Suitable for a wide range of switching frequencies due to  
low VCE (ON) and low switching losses  
C
C
• Ruggedtransientperformanceforincreasedreliability  
• Excellent current sharing in parallel operation  
E
E
C
C
G
G
TO-247AD  
IRG7PH46U-EP  
TO-247AC  
IRG7PH46UPbF  
Applications  
• U.P.S  
• Welding  
• Solarinverter  
• Inductionheating  
G
Gate  
C
E
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
1200  
130  
75  
V
IC @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current (Silicon Limited)  
Continuous Collector Current (Silicon Limited)  
Nominal Current  
IC @ TC = 100°C  
INOMINAL  
A
40  
ICM  
Pulse Collector Current, VGE = 15V  
Clamped Inductive Load Current, VGE = 20V  
120  
160  
ILM  
VGE  
V
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
±30  
469  
PD @ TC = 25°C  
W
PD @ TC = 100°C  
234  
TJ  
-55 to +175  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
0.24  
40  
Max.  
0.32  
–––  
Units  
Rθ (IGBT)  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT) TO-247AC  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
JC  
°C/W  
Rθ  
CS  
Rθ  
JA  
–––  
1
www.irf.com  
04/20/10  
1234567...10

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