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IRG7PH35UDPBF PDF预览

IRG7PH35UDPBF

更新时间： 2024-02-22 04:28:39
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管双极型晶体管功率控制栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
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11页 462K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE

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IRG7PH35UDPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：16 weeks
风险等级：1.41Is Samacsys：N
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：50 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：105 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：30 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：FLANGE MOUNT峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：180 W
认证状态：Not Qualified最大上升时间（tr）：30 ns
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：400 ns
标称接通时间 (ton)：45 nsBase Number Matches：1

IRG7PH35UDPBF 数据手册

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PD-96288  
IRG7PH35UDPbF  
IRG7PH35UD-EP  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
C
• Low VCE (ON) trench IGBT technology  
• Low switching losses  
• SquareRBSOA  
VCES = 1200V  
I NOMINAL = 20A  
• 100% of the parts tested for ILM  

• Positive VCE (ON) temperature co-efficient  
• Ultra fast soft recovery co-pak diode  
• Tightparameterdistribution  
• Lead-Free  
G
TJ(max) = 150°C  
VCE(on) typ. = 1.9V  
E
n-channel  
Benefits  
• High efficiency in a wide range of applications  
• Suitable for a wide range of switching frequencies due to  
low VCE (ON) and low switching losses  
C
C
• Ruggedtransientperformanceforincreasedreliability  
• Excellent current sharing in parallel operation  
Applications  
• U.P.S.  
• Welding  
• SolarInverter  
• InductionHeating  
E
E
C
C
G
G
TO-247AC  
IRG7PH35UDPbF  
TO-247AD  
IRG7PH35UD-EP  
G
C
E
Gate  
Collector  
Emitter  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
1200  
50  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
IC @ TC = 25°C  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Nominal Current  
IC @ TC = 100°C  
25  
INOMINAL  
20  
Pulse Collector Current, VGE=15V  
Clamped Inductive Load Current, VGE=20V  
Diode Continous Forward Current  
Diode Continous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Continuous Gate-to-Emitter Voltage  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
ICM  
60  
A
ILM  
80  
IF @ TC = 25°C  
50  
IF @ TC = 100°C  
25  
IFM  
80  
VGE  
±30  
180  
70  
V
PD @ TC = 25°C  
W
PD @ TC = 100°C  
TJ  
-55 to +150  
°C  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf·in (1.1 N·m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
–––  
0.24  
40  
Max.  
0.70  
0.65  
–––  
Units  
Rθ (IGBT)  
JC  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each IGBT)  
Rθ (Diode)  
JC  
Thermal Resistance Junction-to-Case-(each Diode)  
°C/W  
Rθ  
Thermal Resistance, Case-to-Sink (flat, greased surface)  
Thermal Resistance, Junction-to-Ambient (typical socket mount)  
CS  
Rθ  
JA  
–––  
1
www.irf.com  
02/08/10  
1234567...11

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IRG7PH35UDPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
NGTB25N120IHLWG ONSEMI

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 Incorporated into the device is a rugged coâˆ
NGTB20N120IHSWG ONSEMI

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