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| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | TO-252AA |
| 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.04 |
| 其他特性： | FAST | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 22 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE | JEDEC-95代码： | TO-252AA |
| JESD-30 代码： | R-PSSO-G2 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | N-CHANNEL | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | SINGLE | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 706 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 51 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRG4RC20FTRLPBF | INFINEON |
完全替代  |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE |
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| IRG4RC20F | INFINEON |
完全替代 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A) |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4RC20FTR | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3 |
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| IRG4RC20FTRL | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
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| IRG4RC20FTRLPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE |
|
| IRG4RC20FTRR | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3 |
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| IRG4ZC50KD | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 30A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel |
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| IRG4ZC70UD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRG4ZC71KD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRG4ZH50KD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRG4ZH70UD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRG4ZH71KD | INFINEON |
获取价格 |
Surface Mountable Short Circuit Rated UltraFast IGBT (INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WI |
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