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IRG4RC20F

更新时间： 2024-09-28 22:32:27
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 264K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.82V, @Vge=15V, Ic=12A)

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IRG4RC20F 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.29.00.95
风险等级：5.06其他特性：FAST
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：22 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e0湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：245
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：706 ns
标称接通时间 (ton)：51 nsBase Number Matches：1

IRG4RC20F 数据手册

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PD - 91731A  
IRG4RC20F  
Fast Speed IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
Features  
• Fast: Optimized for medium operating  
frequencies (1-5 kHz in hard switching, >20  
kHz in resonant mode).  
VCES = 600V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generation IGBTs.  
VCE(on) typ. = 1.82V  
G
@VGE = 15V, IC = 12A  
• Industry standard TO-252AA package  
• Combines very low VCE(on) with low switching  
losses  
E
N-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBTs offer highest efficiency  
• Optimized for specific application conditions  
• High power density and current rating  
D-Pak  
TO-252AA  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
600  
V
IC @ TC = 25°C  
22  
IC @ TC = 100°C  
12  
A
ICM  
44  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
44  
VGE  
± 20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
5.0  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
66  
26  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
1.9  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Weight  
–––  
50  
0.3 (0.01)  
–––  
g (oz)  
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
2/22/01  
12345678

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IRG4RC20F 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4RC20FTRLPBF INFINEON

完全替代

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
IRG4RC20FPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR

与IRG4RC20F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4RC20FPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4RC20FTR INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
IRG4RC20FTRL INFINEON

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 		暂无描述
IRG4RC20FTRLPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 22A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
IRG4RC20FTRR INFINEON

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