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IRG4RC10UDTRRP

更新时间： 2024-01-26 10:39:10
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅瞄准线功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 187K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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IRG4RC10UDTRRP 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, DPAK-3Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.25
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS最大集电极电流 (IC)：8.5 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
JEDEC-95代码：TO-252AAJESD-30 代码：R-PSSO-G2
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：2
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：345 ns
标称接通时间 (ton)：56 ns

IRG4RC10UDTRRP 数据手册

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PD91571A  
IRG4RC10UD  
UltraFast CoPack IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
C
Features  
• UltraFast: Optimized for medium operating  
frequencies ( 8-40 kHz in hard switching, >200  
kHz in resonant mode).  
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 2.15V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generation  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
G
@VGE = 15V, IC = 5.0A  
tf (typ.) = 140ns  
E
n-channel  
• Industry standard TO-252AA package  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiencies  
available  
• IGBT's optimized for specific application conditions  
• HEXFRED diodes optimized for performance with  
IGBT's . Minimized recovery characteristics require  
less/no snubbing  
D-PAK  
• Lower losses than MOSFET's conduction and Diode  
losses  
TO-252AA  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
600  
V
IC @ TC = 25°C  
8.5  
IC @ TC = 100°C  
5.0  
ICM  
34  
A
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
34  
IF @ TC = 100°C  
4.0  
IFM  
16  
± 20  
VGE  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
Maximum Power Dissipation  
Operating Junction and  
38  
W
PD @ TC = 100°C  
15  
TJ  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
Mounting Torque, 6-32 or M3 Screw.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
10 lbf•in (1.1 N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
3.3  
Units  
°C/W  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Weight  
–––  
7.0  
–––  
50  
0.3 (0.01)  
–––  
g (oz)  
Details of note  through „ are on the last page  
www.irf.com  
1
12/30/00  
1234567...10

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IRG4RC10UDTRRP 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4RC10UDTRLP INFINEON

完全替代

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FRE
IRG4RC10UD INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4RC10UDPBF INFINEON

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