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IRG4RC10STRL

更新时间： 2024-01-26 13:23:11
品牌 Logo 应用领域
其他 - ETC 晶体晶体管双极性晶体管栅
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8页 150K
描述
TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA

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IRG4RC10STRL 技术参数

生命周期：ObsoleteReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73Base Number Matches：1

IRG4RC10STRL 数据手册

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PD - 91732A  
IRG4RC10S  
Standard Speed IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
Features  
C
• Extremely low voltage drop; 1.0V typical at 2A, 100°C  
• Standard: Optimized for minimum saturation  
voltage and low operating frequencies ( < 1kHz)  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generation  
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 1.10V  
@VGE = 15V, IC = 2.0A  
G
E
• Industry standard TO-252AA package  
n-channel  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiency available  
• IGBT's optimized for specified application conditions  
D-PAK  
TO-252AA  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
600  
V
IC @ TC = 25°C  
14  
IC @ TC = 100°C  
8.0  
A
ICM  
18  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
18  
VGE  
± 20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
110  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
38  
15  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
Max.  
3.3  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Weight  
–––  
50  
0.3 (0.01)  
–––  
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
www.irf.com  
1
8/30/99  
Powered by ICminer.com Electronic-Library Service CopyRight 2003  
12345678

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4RC10STRLPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
IRG4RC10STRPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
IRG4RC10STRR ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10STRRPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4RC10UDPBF INFINEON

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 		暂无描述
IRG4RC10UDTR INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
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