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IRG4RC10STRLPBF

更新时间： 2024-01-04 06:48:17

品牌	Logo	应用领域
英飞凌 - INFINEON		栅功率控制晶体管
页数	文件大小	规格书
9页	724K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, DPAK-3

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IRG4RC10STRLPBF 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TO-252AA
包装说明：	LEAD FREE, DPAK-3	针数：	3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.56
其他特性：	STANDARD SPEED	外壳连接：	COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：	14 A	集电极-发射极最大电压：	600 V
配置：	SINGLE	最大降落时间（tf）：	1100 ns
门极发射器阈值电压最大值：	6 V	门极-发射极最大电压：	20 V
JEDEC-95代码：	TO-252AA	JESD-30 代码：	R-PSSO-G2
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	2
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：	15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Insulated Gate BIP Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN OVER NICKEL	端子形式：	GULL WING
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	30
晶体管应用：	POWER CONTROL	晶体管元件材料：	SILICON
标称断开时间 (toff)：	2110 ns	标称接通时间 (ton)：	55 ns
Base Number Matches：	1

PD-91732B

IRG4RC10S

www.irf.com

07/04/07

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
IRG4RC10STRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
IRG4RC10STRR	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| IGBT \| N-CHAN \| 600V V(BR)CES \| 8A I(C) \| TO-252AA
IRG4RC10STRRPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
IRG4RC10U	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10UD	INFINEON	获取价格	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4RC10UDPBF	INFINEON	获取价格	暂无描述
IRG4RC10UDTR	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
IRG4RC10UDTRL	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, DPAK-3
IRG4RC10UDTRLP	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor, 8.5A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FRE
IRG4RC10UDTRLPBF	INFINEON	获取价格	Insulated Gate Bipolar Transistor,