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IRG4RC10SDTRR

更新时间： 2024-02-04 06:41:24
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅瞄准线功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 721K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, PLASTIC, DPAK-3

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IRG4RC10SDTRR 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-252AA包装说明：SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
针数：3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.01其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：14 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：1080 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：245极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：38 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：YES
端子面层：TIN LEAD端子形式：GULL WING
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：POWER CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：1780 ns标称接通时间 (ton)：106 ns
Base Number Matches：1

IRG4RC10SDTRR 数据手册

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PD-91678B  
IRG4RC10SD  
Standard Speed CoPack  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
IGBT  
C
• Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A  
• S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3  
KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4  
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 1.10V  
KHz in brushless DC drives.  
G
• Tight parameter distribution  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use  
@VGE = 15V, IC = 2.0A  
E
n-channel  
in bridge configurations  
• Industry standard TO-252AA package  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiencies  
available  
• IGBT's optimized for specific application conditions  
• HEXFRED diodes optimized for performance with  
IGBT's . Minimized recovery characteristics require  
less/no snubbing  
D-PAK  
• Lower losses than MOSFET's conduction and  
Diode losses  
TO-252AA  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
14  
IC @ TC = 100°C  
8.0  
ICM  
18  
A
ILM  
18  
IF @ TC = 100°C  
4.0  
IFM  
16  
± 20  
VGE  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
38  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
15  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
3.3  
7.0  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Weight  
°C/W  
50  
0.3 (0.01)  
–––  
g (oz)  
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
www.irf.com  
1
06/14/07  
1234567...11

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与IRG4RC10SDTRR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4RC10SDTRRP INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
IRG4RC10STR ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10STRL ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
IRG4RC10STRLPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
IRG4RC10U INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.15V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10UD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4RC10UDPBF INFINEON

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