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IRG4RC10SDPBF PDF预览

IRG4RC10SDPBF

更新时间： 2024-11-25 15:35:19
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 栅瞄准线功率控制晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 354K
描述
Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3

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IRG4RC10SDPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：LEAD FREE, PLASTIC, DPAK-3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99Factory Lead Time：53 weeks
风险等级：7.3其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：14 A
集电极-发射极最大电压：600 V配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最大降落时间（tf）：1080 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-252AA
JESD-30 代码：R-PSSO-G2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：N-CHANNEL最大功率耗散 (Abs)：38 W
认证状态：Not Qualified子类别：Insulated Gate BIP Transistors
表面贴装：YES端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式：GULL WING端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：30晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：1780 ns
标称接通时间 (ton)：106 nsBase Number Matches：1

IRG4RC10SDPBF 数据手册

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PD - 95192A  
IRG4RC10SDPbF  
Standard Speed CoPack  
IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
C
• Extremely low voltage drop 1.1V(typ) @ 2A  
• S-Series: Minimizes power dissipation at up to 3  
KHz PWM frequency in inverter drives, up to 4  
VCES = 600V  
VCE(on) typ. = 1.10V  
@VGE = 15V, IC = 2.0A  
KHz in brushless DC drives.  
G
• Tight parameter distribution  
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use  
E
n-channel  
in bridge configurations  
• Industry standard TO-252AA package  
• Lead-Free  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiencies  
available  
• IGBT's optimized for specific application conditions  
• HEXFRED diodes optimized for performance with  
IGBT's . Minimized recovery characteristics require  
less/no snubbing  
• Lower losses than MOSFET's conduction and  
Diode losses  
D-PAK  
TO-252AA  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
600  
V
IC @ TC = 25°C  
14  
IC @ TC = 100°C  
8.0  
ICM  
18  
A
ILM  
18  
IF @ TC = 100°C  
4.0  
IFM  
16  
± 20  
VGE  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
38  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
15  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Thermal Resistance  
Parameter  
Typ.  
–––  
–––  
–––  
Max.  
3.3  
7.0  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Junction-to-Ambient (PCB mount)*  
Weight  
°C/W  
50  
0.3 (0.01)  
–––  
g (oz)  
* When mounted on 1" square PCB (FR-4 or G-10 Material).  
For recommended footprint and soldering techniques refer to application note #AN-994  
www.irf.com  
1
07/04/07  
1234567...11

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IRG4RC10SDPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4RC10SDTRPBF INFINEON

完全替代

 Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
IRG4RC10SD INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ

与IRG4RC10SDPBF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4RC10SDTR INFINEON

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 		暂无描述
IRG4RC10SDTRL INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, PLASTIC,
IRG4RC10SDTRPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
IRG4RC10SDTRR INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, PLASTIC,
IRG4RC10SDTRRP INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 14A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE
IRG4RC10STR ETC

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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA
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 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 8A I(C) | TO-252AA

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