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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | IN-LINE, R-PSIP-T3 | 针数： | 3 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.6 |
| 其他特性： | ULTRA FAST SWITCHING | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 99 A | 集电极-发射极最大电压： | 1200 V |
| 配置： | SINGLE | 最大降落时间（tf）： | 260 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JESD-30 代码： | R-PSIP-T3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 250 | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 350 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | MATTE TIN OVER NICKEL | 端子形式： | THROUGH-HOLE |
| 端子位置： | SINGLE | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 30 |
| 晶体管应用： | MOTOR CONTROL | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4RC10 | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
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| IRG4RC10K | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A) |
|
| IRG4RC10KD | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ |
|
| IRG4RC10KDPBF | INFINEON |
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INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRG4RC10KDTR | INFINEON |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
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| IRG4RC10KDTRL | INFINEON |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
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| IRG4RC10KDTRPBF | INFINEON |
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Insulated Gate Bipolar Transistor, 9A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-252AA, LEAD FREE, |
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| IRG4RC10KDTRR | INFINEON |
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TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA |
|
| IRG4RC10KDTRRPBF | INFINEON |
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暂无描述 |
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| IRG4RC10KPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR Short Circuit Rated UltraFast IGBT |
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