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IRG4PSC71U

更新时间： 2024-11-20 22:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 153K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A)

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IRG4PSC71U 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SUPER-247, 3 PINReach Compliance Code：compliant
风险等级：5.06其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
最大集电极电流 (IC)：85 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：304 ns标称接通时间 (ton)：79 ns
Base Number Matches：1

IRG4PSC71U 数据手册

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PD - 91681A  
IRG4PSC71U  
UltraFast Speed IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
Features  
• UltraFast switching speed optimized for operating  
frequencies 8 to 40kHz in hard switching, 200kHz  
in resonant mode soft switching  
V
CES = 600V  
• Generation 4 IGBT design provides tighter  
VCE(on) typ. = 1.67V  
G
parameter distribution and higher efficiency  
(minimum switching and conduction losses) than  
prior generations  
• Industry-benchmark Super-247 package with  
higher power handling capability compared to  
same footprint TO-247  
@VGE = 15V, IC = 60A  
E
n-channel  
• Creepage distance increased to 5.35mm  
Benefits  
• Generation 4 IGBT's offer highest efficiencies  
available  
• Maximum power density, twice the power  
handling of the TO-247, less space than TO-264  
• IGBTs optimized for specific application conditions  
• Cost and space saving in designs that require  
multiple, paralleled IGBTs  
SUPER - 247  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current ➀  
IC @ TC = 25°C  
85†  
60  
IC @ TC = 100°C  
A
ICM  
200  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ➁  
Gate-to-Emitter Voltage  
200  
VGE  
± 20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ➂  
Maximum Power Dissipation  
180  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
350  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
140  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm from case )  
Thermal Resistance\ Mechanical  
Parameter  
Junction-to-Case  
Min.  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.36  
–––  
38  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Recommended Clip Force  
Weight  
–––  
0.24  
°C/W  
–––  
–––  
20.0(2.0)  
–––  
–––  
–––  
–––  
N (kgf)  
g (oz)  
6 (0.21)  
www.irf.com  
1
5/12/99  
12345678

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IRG4PSC71U 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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IRG4PSC71K INFINEON

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