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IRG4PH50U

更新时间： 2024-02-04 14:29:32
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 135K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.78V, @Vge=15V, Ic=24A)

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IRG4PH50U 技术参数

是否Rohs认证：符合生命周期：End Of Life
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.37
Is Samacsys：N其他特性：LOW CONDUCTION LOSS
外壳连接：COLLECTOR最大集电极电流 (IC)：45 A
集电极-发射极最大电压：1200 V配置：SINGLE
最大降落时间（tf）：500 ns门极发射器阈值电压最大值：6 V
门极-发射极最大电压：20 VJEDEC-95代码：TO-247AC
JESD-30 代码：R-PSFM-T3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
最低工作温度：-55 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：200 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：600 ns
标称接通时间 (ton)：49 nsBase Number Matches：1

IRG4PH50U 数据手册

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PD - 91574B  
IRG4PH50U  
UltraFastSpeedIGBT  
INSULATEDGATEBIPOLARTRANSISTOR  
C
Features  
• UltraFast: Optimized for high operating  
frequencies up to 40 kHz in hard switching,  
>200 kHz in resonant mode  
V
CES = 1200V  
• New IGBT design provides tighter  
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generations  
• Optimized for power conversion; SMPS, UPS  
and welding  
V
CE(on) typ. = 2.78V  
G
@VGE = 15V, IC = 24A  
E
n-channel  
• Industry standard TO-247AC package  
Benefits  
• Higher switching frequency capability than  
competitive IGBTs  
• Highest efficiency available  
• Much lower conduction losses than MOSFETs  
• More efficient than short circuit rated IGBTs  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
1200  
45  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
IC @ TC = 25°C  
IC @ TC = 100°C  
24  
A
ICM  
180  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Gate-to-Emitter Voltage  
180  
VGE  
± 20  
V
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ƒ  
Maximum Power Dissipation  
170  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
200  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
78  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Junction-to-Case  
Typ.  
–––  
Max.  
0.64  
–––  
40  
Units  
°C/W  
g (oz)  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Case-to-Sink, Flat, Greased Surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
0.24  
–––  
6 (0.21)  
–––  
www.irf.com  
1
01/14/02  
12345678

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与IRG4PH50U相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PH50UD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH50UD-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IRG4PH50UDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH50U-EPBF INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IRG4PH50UPBF INFINEON

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 		Ultra Fast Speed IGBT
IRG4PSC71K INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A)
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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ

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