5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > 暂无类别数据> IRG4PSH71KD
IRG4PSH71KD PDF预览

IRG4PSH71KD

更新时间： 2024-01-25 06:41:02
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体二极管晶体管栅超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
10页 201K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.97V, @Vge=15V, Ic=42A)

阅读下载

中文翻译

获取价格

IRG4PSH71KD 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.6
其他特性：ULTRA FAST SWITCHING外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：99 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：260 ns
门极发射器阈值电压最大值：6 V门极-发射极最大电压：20 V
JESD-30 代码：R-PSIP-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：250极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：350 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子面层：MATTE TIN OVER NICKEL端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
Base Number Matches：1

IRG4PSH71KD 数据手册

 浏览型号IRG4PSH71KD的Datasheet PDF文件第2页浏览型号IRG4PSH71KD的Datasheet PDF文件第3页浏览型号IRG4PSH71KD的Datasheet PDF文件第4页浏览型号IRG4PSH71KD的Datasheet PDF文件第5页浏览型号IRG4PSH71KD的Datasheet PDF文件第6页浏览型号IRG4PSH71KD的Datasheet PDF文件第7页 
PD - 91688A  
IRG4PSH71KD  
PRELIMINARY  
Short Circuit Rated  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
UltraFast IGBT  
C
VCES = 1200V  
• Hole-less clip/pressure mount package compatible  
with TO-247 and TO-264, with reinforced pins  
• High short circuit rating IGBTs, optimized for  
VCE(on) typ. = 2.97V  
motorcontrol  
G
• Minimum switching losses combined with low  
conduction losses  
@VGE = 15V, IC = 42A  
E
• Tightest parameter distribution  
• IGBT co-packaged with ultrafast soft recovery  
antiparallel diode  
n-channel  
• Creepage distance increased to 5.35mm  
Benefits  
• Highest current rating copack IGBT  
• Maximum power density, twice the power  
handling of the TO-247, less space than TO-264  
• HEXFREDTM diode optimized for operation with  
IGBT, to minimize EMI, noise and switching losses  
SUPER - 247  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
1200  
78  
Units  
V
VCES  
C @ TC = 25°C  
Collector-to-Emitter Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
I
IC @ TC = 100°C  
42  
ICM  
156  
A
ILM  
156  
IF @ TC = 100°C  
42  
IFM  
156  
tsc  
10  
µs  
V
VGE  
± 20  
350  
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
140  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to +150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 sec.  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case)  
Thermal Resistance\ Mechanical  
Parameter  
Min.  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.36  
0.69  
–––  
38  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Recommended Clip Force  
Weight  
–––  
–––  
°C/W  
–––  
0.24  
–––  
–––  
20.0(2.0)  
–––  
–––  
–––  
–––  
N (kgf)  
g (oz)  
6 (0.21)  
www.irf.com  
1
5/11/99  
1234567...10

中文翻译

下载PDF

IRG4PSH71KD 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRGPS40B120UD INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PSH71KDPBF INFINEON

类似代替

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IKW40T120 INFINEON

功能相似

 LOW LOSS DUOPACK : IGBT IN TRENCH AND FIELDSTOP TECHNOLOGY WITH SOFT, FAST RECOVERY ANTI-P

与IRG4PSH71KD相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PSH71KDPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PSH71U INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PSH71UD INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH
IRG4PSH71UDPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PSH71UPBF INFINEON

获取价格

 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 99A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, SUPER-247, 3 PIN
IRG4RC10 INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10K INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.39V, @Vge=15V, Ic=5.0A)
IRG4RC10KD INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
IRG4RC10KDPBF INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4RC10KDTR INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR | IGBT | N-CHAN | 600V V(BR)CES | 5A I(C) | TO-252AA

与IRG4PSH71KD相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证