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IRG4PSC71K

更新时间： 2024-11-20 22:48:07
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管栅
页数 文件大小 规格书
8页 154K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V,Vce(on)typ.=1.83V, @Vge=15V, Ic=60A)

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IRG4PSC71K 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：SUPER-247, 3 PINReach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.6
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：85 A集电极-发射极最大电压：600 V
配置：SINGLEJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
极性/信道类型：N-CHANNEL认证状态：Not Qualified
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：MOTOR CONTROL晶体管元件材料：SILICON
标称断开时间 (toff)：533 ns标称接通时间 (ton)：93 ns
Base Number Matches：1

IRG4PSC71K 数据手册

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PD - 91683A  
IRG4PSC71K  
PRELIMINARY  
Short Circuit Rated  
UltraFast IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR  
C
Features  
VCES = 600V  
• Hole-less clip/pressure mount package compatible  
with TO-247 and TO-264, with reinforced pins  
VCE(on) typ. = 1.83V  
• High abort circuit rating IGBTs, optimized for  
motorcontrol  
G
• Minimum switching losses combined with low  
conduction losses  
• Tightest parameter distribution  
• Creepage distance increased to 5.35mm  
@VGE = 15V, IC = 60A  
E
n-channel  
Benefits  
• Highest current rating IGBT  
• Maximum power density, twice the power  
handling of the TO-247, less space than TO-264  
SUPER - 247  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
600  
Units  
V
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current ➀  
IC @ TC = 25°C  
85†  
60  
IC @ TC = 100°C  
A
ICM  
200  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ➁  
Short Circuit Withstand Time  
Gate-to-Emitter Voltage  
200  
tSC  
10  
µs  
V
VGE  
± 20  
EARV  
Reverse Voltage Avalanche Energy ➂  
Maximum Power Dissipation  
180  
mJ  
PD @ TC = 25°C  
350  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
140  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
°C  
300 (0.063 in. (1.6mm from case )  
Thermal Resistance\ Mechanical  
Parameter  
Junction-to-Case  
Min.  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.36  
–––  
38  
Units  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Recommended Clip Force  
Weight  
–––  
0.24  
°C/W  
–––  
–––  
20.0(2.0)  
–––  
–––  
–––  
–––  
N (kgf)  
g (oz)  
6 (0.21)  
www.irf.com  
1
5/11/99  
12345678

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IRG4PSC71K 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PSC71UPBF INFINEON

完全替代

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PSC71U INFINEON

功能相似

 INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.67V, @Vge=15V, Ic=60A)

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PSC71KD INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ
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