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IRG4PH40UDPBF

更新时间： 2024-02-05 17:53:37
品牌 Logo 应用领域
英飞凌 - INFINEON 晶体晶体管功率控制栅局域网超快软恢复二极管快速软恢复二极管
页数 文件大小 规格书
11页 674K
描述
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIDDE

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IRG4PH40UDPBF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
包装说明：FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99风险等级：5.34
其他特性：LOW CONDUCTION LOSS外壳连接：COLLECTOR
最大集电极电流 (IC)：41 A集电极-发射极最大电压：1200 V
配置：SINGLE最大降落时间（tf）：190 ns
门极发射器阈值电压最大值：3 V门极-发射极最大电压：20 V
JEDEC-95代码：TO-247ACJESD-30 代码：R-PSFM-T3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：160 W认证状态：Not Qualified
子类别：Insulated Gate BIP Transistors表面贴装：NO
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：POWER CONTROL
晶体管元件材料：SILICON标称断开时间 (toff)：690 ns
标称接通时间 (ton)：49 nsBase Number Matches：1

IRG4PH40UDPBF 数据手册

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PD- 95188  
IRG4PH40UDPbF  
UltraFast CoPack IGBT  
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH  
ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE  
Features  
C
• UltraFast: Optimized for high operating  
frequencies up to 40 kHz in hard switching,  
>200 kHz in resonant mode  
VCES = 1200V  
V
CE(on) typ. = 2.43V  
• New IGBT design provides tighter  
G
parameter distribution and higher efficiency than  
previous generations  
@VGE = 15V, IC = 21A  
E
• IGBT co-packaged with HEXFREDTM ultrafast,  
n-channel  
ultra-soft-recovery anti-parallel diodes for use in  
bridge configurations  
• Industry standard TO-247AC package  
• Lead-Free  
Benefits  
• Higher switching frequency capability than  
competitive IGBTs  
• Highest efficiency available  
• HEXFRED diodes optimized for performance with  
IGBT's . Minimized recovery characteristics require  
less/no snubbing  
TO-247AC  
Absolute Maximum Ratings  
Parameter  
Max.  
Units  
VCES  
Collector-to-Emitter Breakdown Voltage  
Continuous Collector Current  
Continuous Collector Current  
Pulsed Collector Current   
1200  
V
IC @ TC = 25°C  
41  
IC @ TC = 100°C  
21  
ICM  
82  
ILM  
Clamped Inductive Load Current ‚  
Diode Continuous Forward Current  
Diode Maximum Forward Current  
Gate-to-Emitter Voltage  
82  
8.0  
A
IF @ TC = 100°C  
IFM  
130  
VGE  
± 20  
V
PD @ TC = 25°C  
Maximum Power Dissipation  
160  
W
PD @ TC = 100°C Maximum Power Dissipation  
65  
TJ  
Operating Junction and  
-55 to + 150  
TSTG  
Storage Temperature Range  
°C  
Soldering Temperature, for 10 seconds  
Mounting torque, 6-32 or M3 screw.  
300 (0.063 in. (1.6mm) from case )  
10 lbf•in (1.1N•m)  
Thermal Resistance  
Parameter  
Min.  
–––  
–––  
–––  
–––  
–––  
Typ.  
–––  
Max.  
0.77  
1.7  
–––  
40  
Units  
RθJC  
RθJC  
RθCS  
RθJA  
Wt  
Junction-to-Case - IGBT  
Junction-to-Case - Diode  
Case-to-Sink, flat, greased surface  
Junction-to-Ambient, typical socket mount  
Weight  
–––  
°C/W  
0.24  
–––  
6 (0.21)  
–––  
g (oz)  
www.irf.com  
1
04/26/04  
1234567...11

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IRG4PH40UDPBF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
IRG4PC50WPBF INFINEON

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
IRG4PH40U-EPBF INFINEON

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IRG4PH40UPBF INFINEON

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 		Ultra Fast Speed IGBT
IRG4PH50 INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH50K INFINEON

获取价格

 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=2.77V, @Vge=15V, Ic=24A)
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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=1200V, Vce(on)ty
IRG4PH50KD-E INFINEON

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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
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 		Insulated Gate Bipolar Transistor, 45A I(C), 1200V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD
IRG4PH50KDPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE
IRG4PH50KPBF INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR
IRG4PH50S INFINEON

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 		INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=1200V, Vce(on)typ.=1.47V, @Vge=15V, Ic=33A)

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