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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | End Of Life |
| 包装说明： | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.2 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | COLLECTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 40 A | 集电极-发射极最大电压： | 600 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE | 最大降落时间（tf）： | 120 ns |
| 门极发射器阈值电压最大值： | 6 V | 门极-发射极最大电压： | 20 V |
| JEDEC-95代码： | TO-247AC | JESD-30 代码： | R-PSFM-T3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 160 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | Insulated Gate BIP Transistors | 表面贴装： | NO |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子位置： | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | POWER CONTROL |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称断开时间 (toff)： | 330 ns |
| 标称接通时间 (ton)： | 92 ns | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PC40KDPBF | INFINEON |
完全替代  |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| IRG4BC40KPBF | INFINEON |
完全替代 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
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| IRG4PC50UDPBF | INFINEON |
类似代替 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| IRG4PC40U-E | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
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| IRG4PC40U-EPBF | INFINEON |
获取价格 |
暂无描述 |
|
| IRG4PC40UPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR UltraFast Speed IGBT |
|
| IRG4PC40W | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=2.05V, @Vge=15V, Ic=20A) |
|
| IRG4PC40W-E | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
|
| IRG4PC40W-EPBF | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 40A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
|
| IRG4PC40WPBF | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR |
|
| IRG4PC50F | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR(Vces=600V, Vce(on)typ.=1.45V, @Vge=15V, Ic=39A) |
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| IRG4PC50FD | INFINEON |
获取价格 |
INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR WITH ULTRAFAST SOFT RECOVERY DIODE(Vces=600V, Vce(on)typ |
|
| IRG4PC50FD-E | INFINEON |
获取价格 |
Insulated Gate Bipolar Transistor, 70A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel, TO-247AD, TO-247AD, |
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解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
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